Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

Акция

IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

43 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1647пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 024 шт

Цена от:

от 74,48₽

Акция

IRF7820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 058 шт

Цена от:

от 56,54₽

Акция

IRF7821PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 3.1Вт, 0.005 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

9.1 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 353 шт

Цена от:

от 83,27₽

Акция

IRF7822PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

572 шт

Цена от:

от 53,87₽

IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

12.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7831TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 4.5В

Входная емкость:

6240пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7832PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.32В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 950 шт

Цена от:

от 36,30₽

Акция

IRF7836PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30В 17А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7842PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 354 шт

Цена от:

от 52,83₽

IRF7853PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 915 шт

Цена от:

от 55,12₽

Акция

IRF7854PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 10А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7855PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

9.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

1560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

588 шт

Цена от:

от 65,24₽

Акция

IRF7862PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

4090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 113 шт

Цена от:

от 45,13₽

IRF7910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм @ 8А, 4.5В

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF8010SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

3830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8010STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

3830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 17.2 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17.2A

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8252PBF Транзистор полевой N-канальный 25В 25А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Сообщить о поступлении

IRF8304MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A MX

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A(Ta),170A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

42нКл @ 4.5В

Входная емкость:

4700пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"