Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
Акция
IRF9540NSPBF IRF9540NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 665 шт
Цена от:
от 55,56
IRF9540NSTRRPBF IRF9540NSTRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 23 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 665 шт
Цена от:
от 50,03
Акция
IRF9620PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Акция
IRF9622PBF IRF9622PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А, 40 Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRF9Z24NSPBF IRF9Z24NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z24NSTRLPBF IRF9Z24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 769 шт
Цена от:
от 26,91
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 769 шт
Цена от:
от 59,45
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
170A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
7600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3306GPBF IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4520пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3307PBF IRFB3307PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 130A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB3407ZPBF IRFB3407ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 75В 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
122А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4110GPBF IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
210нКл @ 10В
Входная емкость:
9620пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFB41N15DPBF IRFB41N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 41A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
IRFB4212PBF IRFB4212PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4233PBF IRFB4233PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
230В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
5510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4615PBF IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB59N10DPBF IRFB59N10DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"