Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

Акция

IRFB61N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 60А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3470пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

4730пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

87A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

143Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

4650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

10.6 мОм

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

83нКл

Входная емкость:

3049пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB812PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBA1405PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 174A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SUPER-220[тм] (TO-273AA)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

174A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

5480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBA90N20D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 98А 650Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SUPER-220[тм] (TO-273AA)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

98A

Мощность макс.:

650Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

IRFBA90N20DPBF MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SUPER-220[тм] (TO-273AA)

Сообщить о поступлении

IRFH4210DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

44A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

1.10 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 100 µA

Заряд затвора:

77нКл @ 10В

Входная емкость:

4812пФ @ 13В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH4253DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

64A,145A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм @ 30А, 10В

Мощность макс.:

31Вт, 50Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5025TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 000 шт

Цена от:

от 39,73₽

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.3A(Ta),46A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

18 мОм @ 9.3А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 10В

Входная емкость:

1510пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11A(Ta),63A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.4 мОм @ 37А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

72нКл @ 10В

Входная емкость:

3152пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5215TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

58 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5302TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

32A(Ta),100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 100 µA

Заряд затвора:

76нКл @ 10В

Входная емкость:

4400пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A(Ta),79A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм @ 47А, 10В

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В @ 50 µA

Заряд затвора:

41нКл @ 10В

Входная емкость:

2360пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7085TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

6460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"