Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
85A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
98нКл @ 10В
Входная емкость:
3174пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH7545TRPBF IRFH7545TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH7787TRPBF IRFH7787TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 68A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
68A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6) Single Die
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
4270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
42A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм @ 50А, 10В
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
7200пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 50A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A 5X6 PQFN
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A(Ta),56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В @ 25 µA
Заряд затвора:
20нКл @ 10В
Входная емкость:
1450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH8330TRPBF IRFH8330TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 17A 8-Pin QFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power56
IRFHM9391TRPBF IRFHM9391TRPBF Полевой транзистор P-канальный 30В 11A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI1010NPBF IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI3306GPBF IRFI3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 71A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
71A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
4685пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
72A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм @ 43А, 10В
Мощность макс.:
61Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
290нКл @ 10В
Входная емкость:
9540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4227PBF
Производитель:
Infineon Technologies
IRFI4228PBF IRFI4228PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34А TO-220F
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
47Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4910пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
''
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Тип транзистора:
N-канальный
IRFI7446GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
''
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Тип транзистора:
N-канальный
IRFI7536GPBF IRFI7536GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 103A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
195нКл @ 10В
Входная емкость:
6600пФ @ 48В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"