Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.065 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 938 шт

Внешние склады:
1 400 шт
Цена от:
от 30,29
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 932 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 142,85
Акция
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 190Вт, 0.018 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 930 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 44,98
Акция
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 884 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,26
IRFP150NPBF IRFP150NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 854 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 53,95
Акция
BSS138NH6327 BSS138NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23А 0.36Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.23A
Мощность макс.:
0.36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 853 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
689 190 шт
Цена от:
от 4,98
IRFP4332PBF IRFP4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 360Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
360Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 845 шт

Внешние склады:
440 шт
Цена от:
от 158,78
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 Полевой MOSFET транзистор N-канальный 150В 87А 9,3мОм SuperSO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
87А
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 837 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,88
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A SO-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 836 шт

Внешние склады:
1 220 шт
Цена от:
от 45,23
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 834 шт

Внешние склады:
1 775 шт
Цена от:
от 63,63
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 787 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,70
AUIRFR8401TRL AUIRFR8401TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100А
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 773 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 131,41
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 764 шт

Внешние склады:
780 шт
Цена от:
от 133,42
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 762 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 44,99
-6% Акция
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 57Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
18.7нКл
Входная емкость:
433пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 759 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,70
IRF7413TRPBF IRF7413TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
79нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 746 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,82
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 746 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,35
IRFR7440TRPBF IRFR7440TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
4610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 741 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,26
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 735 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,16
Акция
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
9.3нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 656 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 18,57
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"