Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 33А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
2930пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3711TRLPBF IRFR3711TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2980пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR3806PBF IRFR3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 445 шт
Цена от:
от 53,31
Акция
IRFR3910PBF IRFR3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16А 52Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 512 шт
Цена от:
от 37,00
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
115 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 10В
Входная емкость:
640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 512 шт
Цена от:
от 26,65
IRFR4104PBF IRFR4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
2950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRRPBF IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR4105PBF IRFR4105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
858 шт
Цена от:
от 43,22
IRFR4105TRLPBF IRFR4105TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
858 шт
Цена от:
от 17,61
Акция
IRFR4105ZPBF IRFR4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4105ZTRPBF IRFR4105ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
24.5 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4510PBF IRFR4510PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IRFR4615PBF IRFR4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 992 шт
Цена от:
от 49,70
Акция
IRFR4620PBF IRFR4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 243 шт
Цена от:
от 49,47
IRFR48ZPBF IRFR48ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
75 683 шт
Цена от:
от 8,12
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
75 683 шт
Цена от:
от 8,12
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"