Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRFS7730PBF IRFS7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7734-7PPBF IRFS7734-7PPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
IRFS7734PBF IRFS7734PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRFS7787PBF IRFS7787PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 76 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFSL3006PBF IRFSL3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
300нКл
Входная емкость:
8970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3306PBF IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4520пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL3607PBF IRFSL3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
IRFSL3806PBF IRFSL3806PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 43 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
215нКл
Входная емкость:
9575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
72A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
22 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
150нКл @ 10В
Входная емкость:
5380пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4820пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL7434PBF IRFSL7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
324нКл @ 10В
Входная емкость:
10820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU1205PBF IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
235 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"