Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

56A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 34А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

2430пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

1690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

3070пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU4105ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Сообщить о поступлении

IRFU4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

13.9 мОм

Мощность макс.:

143Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

81нКл

Входная емкость:

3031пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU4620PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 24 А, 144 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Сообщить о поступлении

IRFU5410PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

66Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

13A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

295 мОм @ 6.6А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

66нКл @ 10В

Входная емкость:

860пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм @ 66А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 100 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

4360пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

56A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7.9 мОм @ 43А, 10В

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 100 µA

Заряд затвора:

87нКл @ 10В

Входная емкость:

3020пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

87A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм @ 52А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 100 µA

Заряд затвора:

126нКл @ 10В

Входная емкость:

4430пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A I-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

56A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

11.2 мОм @ 35А, 10В

Мощность макс.:

99Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 100 µA

Заряд затвора:

89нКл @ 10В

Входная емкость:

3107пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

40 мОм @ 16А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

34нКл @ 10В

Входная емкость:

700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

740 шт

Цена от:

от 56,53₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"