Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation

793
Производитель: IXYS Corporation
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (793)
IXFL38N100P IXFL38N100P 1kV 29A 230mOhm@10V,19A 520W 3.5V 1 N-Channel MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFL44N100P IXFL44N100P 1kV 37A 890W 220mOhm@10V 3.5V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFL82N60P IXFL82N60P 600V 55A 78mOhm@10V,41A 625W 3V 1 N-Channel MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN132N50P3 IXFN132N50P3 500V 112A 1.5kW 39mOhm@10V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN170N30P 300V 138A 890W 18mOhm@10V,85A 4.5V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN180N25T IXFN180N25T 250V 168A 12.9mOhm@10V 900W 5V@8mA 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN20N120P 1.2kV 20A 570mOhm@10V,10A 595W 3.5V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN210N30P3 300V 192A 1.5kW 14.5mOhm@10V,105A 2.5V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN220N20X3 200V 160A 6.2mOhm@10V 390W 4.5V@4mA 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN24N100 IXFN24N100 MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V; Power Dissipatio
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN26N100P 1kV 23A 390mOhm@10V,13A 595W 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN360N10T IXFN360N10T MOSFET MODULE, N-CH, 100V, 360A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:100V; Threshold Voltage Vgs:4.5V;
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN36N100 IXFN36N100 MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):0.24ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN400N15X3 IXFN400N15X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 400A 695Вт 0,0025Ом SOT227B
Производитель:
IXYS Corporation
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
400А
Сопротивление открытого канала:
0.0025Ом
Мощность макс.:
695Вт
Тип транзистора:
N-канальный
IXFN40N110P 1.1kV 40A 1.25kW 260mOhm@10V 6.5V@1mA 1 N-Channel TO-264-3(TO-264AA) MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN40N110Q3 1.1kV 40A 1.56kW 3.5V 1 N-Channel MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN40N90P IXFN40N90P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 33A
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
SOT-227
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
33А
Тип транзистора:
N-канальный
IXFN44N80P IXFN44N80P MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN48N50 500V 4V 1 N-Channel SOT-227 MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXFN50N120SK 1.2kV 48A 52mOhm@20V,40A 2.8V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
На странице: