Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation

793
Производитель: IXYS Corporation
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (793)
Акция
IXKH30N60C5 IXKH30N60C5 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 30 А 310 Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247
IXKN75N60C IXKN75N60C 600V 75A 36mOhm@10V,75A 180W 2.1V 1 N-Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXKR25N80C IXKR25N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 25A
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
ISOPLUS247[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
25A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 18А, 10В
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Super Junction
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 2mA
Заряд затвора:
355нКл @ 10В
Тип монтажа:
Through Hole
IXKR47N60C5 IXKR47N60C5 600V 47A 45mOhm@10V 3.5V@3mA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247-3
IXTA05N100HV IXTA05N100HV 1kV 3A 40W 2.5V TO-263HV MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA08N100D2
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA08N120P-TRL 1.2kV 800mA 25Om@10V,400mA 50W One N-channel TO-263(D2Pak) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA120N075T2 75V 250W 2V 1 N-Channel TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA120P065T TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA140N12T2 120V 577W 140A 2.5V TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA260N055T2-7 DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-263D2 | Series: Gen2
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA26P20P IXTA26P20P Single P-Channel 200 Vds 170 mOhm 300 W Power Mosfet - TO-263-3
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA28P065T TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA2N100P TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA3N120 IXTA3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTA3N120TRL IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTA3N150HV IXTA3N150HV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 3A TO-263
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
D2Pak (TO-263)
IXTA3N150HV 1.5kV 3A 250W 2.5V 1 N-Channel TO-263AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA3N50P 500V 8A 150W 800mOhm@10V 5.5V@100uA 1 N-Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTA42N25P-TRL 250V 42A 84mOm@10V,21A 300W One N-channel TO-263(D2Pak) Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
IXYS Corporation
На странице: