- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы IXYS Corporation
793
Производитель:
IXYS Corporation
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (793)
Производитель:
IXYS Corporation
Производитель:
IXYS Corporation
IXTR40P50P
500V 22A 312W 260mOhm@10V,20A 4.5V 1 P-Channel MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTR90P20P
200V 90A 312W 48mOhm@10V,45A 4.5V@1mA 1 P-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
Производитель:
IXYS Corporation
Производитель:
IXYS Corporation
Напряжение сток-исток макс.:
3000В
Ток стока макс.:
1А
Тип транзистора:
N-канальный
IXTT1N450HV
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 4500В 1A TO268
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-268AA
Напряжение сток-исток макс.:
4500В (4.5kВ)
Ток стока макс.:
1A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
85 Ом @ 50mА, 10В
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
6.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1730пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
IXYS Corporation
IXTT6N120
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-268AA
Производитель:
IXYS Corporation
IXTT88N30P
300V 88A 40mOhm@10V 600W 5V@250uA 1 N-Channel TO-268AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTU8N70X2
700V 32A 150W 500mOhm@10V,500mA 1.4V@4A 1 N-Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
IXTY01N100D
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
1000В (1kВ)
Ток стока макс.:
100мА(Tc)
Сопротивление открытого канала:
110 Ом @ 50mА, 0В
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTY02N120P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 200MA DPAK
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
200мА(Tc)
Сопротивление открытого канала:
75 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
4.7нКл @ 10В
Входная емкость:
104пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTY08N100D2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IXTY18P10T
100V 18A 83W 120mOhm@10V 4.5V@250uA 1 P-Channel TO-252AA MOSFETs ROHS
Производитель:
IXYS Corporation
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара