- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Microchip Technology Inc.
41
Производитель:
Microchip Technology Inc.
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
2N7000-G
Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
21 677 шт
Цена от:
от 3,30₽
APT30M70BVRG
Trans MOSFET N-CH 300V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-247
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-247 [B]
Напряжение сток-исток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом @ 3А, 10В
Мощность макс.:
335Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 1mA
Заряд затвора:
80нКл @ 10В
Входная емкость:
2565пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN1509N8-G
Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN2470K4-G
Trans MOSFET N-CH 700V 0.17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN2540N3-G
MOSFET, N CH, 400V, 0.12A, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Powe
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN2540N8-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 170мА
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
DN2625K4-G
MOSFET, N-CH, 250V, 1.1A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.1A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Power
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN3135K1-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
350В
Ток стока макс.:
72мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
35 Ом @ 150mА, 0В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
DN3145N8-G
Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN3525N8-G
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN3545N3-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
136мА
Мощность макс.:
0.74Вт
Тип транзистора:
N-канальный
DN3545N8-G
MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-89-3
DN3765K4-G
MOSFET, N CH, 650V, 0.3A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Pow
Производитель:
Microchip Technology Inc.
LND01K1-G
MOS Transistor Lateral N-Ch MOS Transistor Depletion-Mode
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара