Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
BUK9J0R9-40HX Производитель: NEXPERIA
BUK9K13-60EX Транзистор полевой N-канальный 60В 56LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56D Напряжение исток-сток макс.: 60В Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount
BUK9K17-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK-D лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56D Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 15.6 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 53Вт
BUK9K18-40E,115 Полевой транзистор 2N-канальный 40В 30A LFPAK56D Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56D Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 38Вт
BUK9M24-40EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA
BUK9M24-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA
BUK9M52-40EX Полевой транзистор N-канальный 40В 17.6A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 17.6A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BUK9Y104-100B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.8A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 99 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В @ 1mA Заряд затвора: 11нКл @ 5В Входная емкость: 1139пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y11-80EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 84A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 84A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 44.2нКл @ 5В Входная емкость: 6506пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y12-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 52A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 9.8нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y19-75B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 48.2A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 48.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В @ 1mA Заряд затвора: 30нКл @ 5В Входная емкость: 3096пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 824пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y25-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 34A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21.5 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 12нКл @ 5В Входная емкость: 1500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y29-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 25A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 5нКл @ 5В Входная емкость: 664пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y38-100E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 5А, 5В Мощность макс.: 94.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 21.6нКл @ 5В Входная емкость: 2541пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y3R0-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 35.5нКл @ 5В Входная емкость: 5962пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 30.2нКл Входная емкость: 5137пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y43-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 41 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 8.2нКл @ 5В Входная емкость: 880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 26.8нКл Входная емкость: 4077пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R8-60E,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 238Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 50нКл @ 5В Входная емкость: 7853пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице: