Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
BUK7Y8R7-60EX BUK7Y8R7-60EX MOSFET, N-CH, 60V, 87A, LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:87A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00527ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Производитель:
NEXPERIA
BUK7Y98-80E,115 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX Trans MOSFET N-CH 80V 89A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9217-75B,118 BUK9217-75B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 64 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
BUK9222-55A,118 BUK9222-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 48A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
48A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
103Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
2210пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9226-75A,118 BUK9226-75A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 45A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
24.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9230-100B,118 BUK9230-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
3805пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
38.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3072пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9275-100A,118 BUK9275-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21.7A DPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
21.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
72 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9277-55A,118 BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
643пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9606-40B,118 BUK9606-40B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 75 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
BUK9606-40B,118 BUK9606-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
44нКл @ 5В
Входная емкость:
4901пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
182Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
48.8нКл @ 5В
Входная емкость:
7149пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 Trans MOSFET N-CH 55V 79A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
12.8 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
2651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9615-100A,118 BUK9615-100A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
На странице: