- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
PSMN045-80YS,115
Транзистор полевой N-канальный
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 56Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 675пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN063-150D,118
MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D-Pak (TO-252AA)
PSMN069-100YS,115
Полевой транзистор, N-канальный
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 72.4 мОм
Мощность макс.: 56Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 645пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN070-200P,127
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 35 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
PSMN075-100MSEX
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 18 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK33
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 71 мОм
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16.4нКл
Входная емкость: 773пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN0R7-25YLDX
Полевой транзистор N-канальный 25В 300A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 300A
Сопротивление открытого канала: 0.72 мОм
Мощность макс.: 158Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 110.2нКл
Входная емкость: 8320пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN102-200Y,115
Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 21.5A
Сопротивление открытого канала: 102 мОм
Мощность макс.: 113Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30.7нКл
Входная емкость: 1568пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R1-30PL,127
Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм
Мощность макс.: 338Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 243нКл
Входная емкость: 14850пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN1R2-25YL,115
Транзистор полевой N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм
Мощность макс.: 121Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 105нКл
Входная емкость: 6380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118
Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 137нКл
Входная емкость: 9997пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN1R8-30PL,127
Транзистор полевой N-канальный 30В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 10180пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-30PL,127
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм
Мощность макс.: 211Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 117нКл
Входная емкость: 6810пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R0-60ES,127
Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм
Мощность макс.: 338Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 137нКл
Входная емкость: 9997пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN2R4-30MLDX
Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 91Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 3264пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN2R4-30YLDX
Транзистор полевой N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 106Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 31.3нКл
Входная емкость: 2256пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN2R9-30MLC,115
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK33
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм
Мощность макс.: 91Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В
Заряд затвора: 36.1нКл
Входная емкость: 2419пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN3R5-80PS,127
Транзистор полевой N-канальный 80В 120A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 338Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 139нКл
Входная емкость: 9961пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R4-80PS,127
Транзистор полевой N-канальный 80В 100A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм
Мощность макс.: 306Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 125нКл
Входная емкость: 8400пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R5-40PS,127
Транзистор полевой N-канальный 40В 100A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 148Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42.3нКл
Входная емкость: 2683пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN4R8-100BSEJ
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Тип транзистора: N-канал
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара