Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
Акция
BUK9Y15-60E,115 BUK9Y15-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
53A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
17.2нКл @ 5В
Входная емкость:
2603пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y153-100E,115 MOSFET, N-CH, 100V, 9.4A, LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; P
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y19-100E 167W 2.1V 100V 56A 1 N-Channel 18mOhm@10V,15A SOT-669 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y19-100E,115 167W 2.1V 100V 56A 1 N-Channel 18mOhm@10V,15A SOT-669 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y19-75B 75V 48.2A 18mOhm@10V,20A 106W 2.15V 1 N-Channel SOT-669 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y19-75B,115 BUK9Y19-75B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 48.2A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
48.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В @ 1mA
Заряд затвора:
30нКл @ 5В
Входная емкость:
3096пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y1R6-40HX Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y22-100E,115 BUK9Y22-100E,115 Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y22-60ELX BUK9Y22-60ELX MOSFET, N-CH, 60V, 50A, LFPAK56;
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 34A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
34A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
21.5 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
12нКл @ 5В
Входная емкость:
1500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y25-80E,115 BUK9Y25-80E,115 MOSFET, AECQ101, N-CH, 80V, 37A, LFPAK56;
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y29-40E,115 BUK9Y29-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 25A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
25A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
5нКл @ 5В
Входная емкость:
664пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y2R8-40HX BUK9Y2R8-40HX Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y38-100E,115 BUK9Y38-100E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
38 мОм @ 5А, 5В
Мощность макс.:
94.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
21.6нКл @ 5В
Входная емкость:
2541пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R0-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
194Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
35.5нКл @ 5В
Входная емкость:
5962пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
30.2нКл
Входная емкость:
5137пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y40-55B,115 BUK9Y40-55B,115 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 26 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
BUK9Y41-80E,115 MOSFET, AECQ101, N-CH, 80V, 24A, LFPAK56;
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y43-60E,115 BUK9Y43-60E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
41 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
8.2нКл @ 5В
Входная емкость:
880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: