- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
BUK9Y4R4-40E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
26.8нКл
Входная емкость:
4077пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y4R8-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
238Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
50нКл @ 5В
Входная емкость:
7853пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y53-100B,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
49 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
18нКл @ 5В
Входная емкость:
2130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y58-75B,115
MOSFET, N CH, 75V, 20.73A, LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.73A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.65V
Производитель:
NEXPERIA
BUK9Y59-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
52 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
6.1нКл @ 5В
Входная емкость:
715пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
195Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
39.4нКл
Входная емкость:
6319пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y72-80E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
72 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
7.9нКл @ 5В
Входная емкость:
898пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y7R6-40E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 79A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
16.4нКл @ 5В
Входная емкость:
2403пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y8R7-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
31нКл @ 5В
Входная емкость:
4570пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3008PBK,215
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3008PBKMB,315
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
4.1 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
0.72нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NX3020NAK,215
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.44нКл
Входная емкость:
48пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара
