Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PMPB15XPAX PMPB15XPAX MOSFET, P-CH, -12V, -8.2A, SOT-1220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.2A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
NEXPERIA
PMPB16EPX PMPB16EPX
Производитель:
NEXPERIA
PMPB19XP,115 Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 MOSFET, N-CH, 30V, SOT1220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power
Производитель:
NEXPERIA
PMPB20XPE,115 PMPB20XPE,115 Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB20XPEAX PMPB20XPEAX P-channel Trench MOSFET
Производитель:
NEXPERIA
PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEA/FX Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB27EP,115 PMPB27EP,115 MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-DFN2020MD (2x2)
PMPB27EPAX PMPB27EPAX Trans MOSFET P-CH 30V 6.1A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 30V 5A 33mOhm@4.5V,5A 3.5W 900mV 1 N-Channel DFN2020-6 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB43XPEAX PMPB43XPEAX MOSFET, P-CH, -20V, -5A, 12.5W, SOT1220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
NEXPERIA
PMPB48EPAX PMPB48EPAX Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PMPB55ENEAX PMPB55ENEAX MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, SOT-1220-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.
Производитель:
NEXPERIA
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Trans MOSFET N-CH 30V 3.8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
Производитель:
NEXPERIA
PMPB85ENEAX PMPB85ENEAX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin DFN-MD EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-DFN2020MD (2x2)
PMPB95ENEAX PMPB95ENEAX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 2.8A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-DFN2020MD (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
105 мОм @ 2.8А, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
14.9нКл @ 10В
Входная емкость:
504пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
PMT200EPEX PMT200EPEX P-channel Trench MOSFET
Производитель:
NEXPERIA
PMT280ENEAX PMT280ENEAX MOS Transistor 100V N-CH TRENCHMOS
Производитель:
NEXPERIA
PMT560ENEAX PMT560ENEAX MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, SOT-223;
Производитель:
NEXPERIA
На странице: