- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PMXB120EPEZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
309пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB350UPEZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
447 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
116пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB360ENEAZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 1.1A автомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB65UPEZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
608пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ1000UN,315
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.89нКл
Входная емкость:
43пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ290UNE2YL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ390UNEYL
MOSFET, N-CH, 30V, 0.9A, SOT883-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:900mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
Производитель:
NEXPERIA
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара