- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PMZB1200UPEYL
MOSFET, P-CH, -30V, -0.41A, SOT-883B-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-410mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
NEXPERIA
PMZB150UNEYL
MOSFET, N-CH, 20V, 1.5A, SOT-883B-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700m
Производитель:
NEXPERIA
PMZB290UNE,315
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
0.68нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB350UPE,315
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN1006B (0.6x1)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
127пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB390UNEYL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.9A 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
1.3нКл
Входная емкость:
41пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN004-60B,118
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 75 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
PSMN009-100B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN009-100P,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
8250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN011-30YLC,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 37A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
37A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
29Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.95В
Заряд затвора:
10.3нКл
Входная емкость:
641пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN011-60MSX
MOSFET, N-CH, 60V, 61A, SOT-1210; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Производитель:
NEXPERIA
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара