- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN013-30YLC,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
13.6 мОм
Мощность макс.:
26Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.95В
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
521пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN013-60YLX
MOSFET, N-CH, 60V, 53A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:53A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0108ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V;
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN014-40YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
702пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN015-100B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN015-100P,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN015-100YLX
MOSFET, N-CH, 100V, 69A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:69A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0116ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
Производитель:
NEXPERIA
PSMN015-60PS,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
14.8 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
20.9нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN016-100BS,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tj)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
49нКл @ 10В
Входная емкость:
2404пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN016-100YS,115
MOSFET,N CH,100V,51A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Di
Производитель:
NEXPERIA
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара