Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 231A, LFPAK56E;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN2R9-30MLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
2.9 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
36.1нКл
Входная емкость:
2419пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
PSMN3R0-30YLD 30V 100A 3.2mOhm@4.5V,25A 91W 1.7V 1 N-Channel LFPAK-56 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN3R0-60PS,127 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R2-40YLDX PSMN3R2-40YLDX MOSFET, N-CH, 40V, 120A, 175°C, 115W;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R3-80BS,118 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN3R5-40YSD PSMN3R5-40YSD MOSFET, N-CH, 40V, 120A, 115W, SOT669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R5-40YSDX PSMN3R5-40YSDX MOSFET;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
139нКл
Входная емкость:
9961пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX Trans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YL,115 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX MOSFET, N CH, 30V, 95A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:95A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.74V;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS,115 60V 100A 4mOhm@10V,15A 130W 4V 1 N-Channel LFPAK-56 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
На странице: