Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX Trans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX MOSFET, N CH, 30V, 70A, SOT-1210-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R2-40VSHX PSMN4R2-40VSHX MOSFET, 40V, 98A, 175°C, 85W;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R2-80YSE 80V 170A 4.2mOm@10V 294W One N-channel Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R3-100PS,127 Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
8400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R5-40PS PSMN4R5-40PS POWER MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO-220AB
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42.3нКл
Входная емкость:
2683пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R5-80YSFX MOSFET, N-CH, 80V, 100A, SOT-669;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A 405Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSEX MOSFET, N-CH, 100V, 120A, LFPAK56E;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN5R3-25MLDX PSMN5R3-25MLDX Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
3501пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
141нКл
Входная емкость:
8061пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN5R6-60YL 60V 100A 5.4mOhm@5V,25A 167W 1.4V 1 N-Channel SOT-669 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX MOSFET, N-CH, 60V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
Производитель:
NEXPERIA
PSMN6R0-30YLDX PSMN6R0-30YLDX Trans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Производитель:
NEXPERIA
На странице: