Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN6R1-30YLDX PSMN6R1-30YLDX MOS Transistor N-channel 30 V 6.1 mo FET
Производитель:
NEXPERIA
PSMN6R1-40HLX PSMN6R1-40HLX MOSFET, N-CH, 40V, 40A, LFPAK56D;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN6R5-25YLC 25V 64A 6.5mOhm@10V,20A 48W 1.95V 1 N-Channel SOT-669 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В
Производитель:
NEXPERIA
PSMN6R7-40MLDX PSMN6R7-40MLDX Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin LFPAK EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC,115 Trans MOSFET N-CH 30V 67A 8-Pin LFPAK EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 61 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN7R2-100YSFX PSMN7R2-100YSFX MOSFET, N-CH, 100V, 111A, SOT-669;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R5-30MLD 30V 57A 8.2mOhm@4.5V,10A 45W 1.7V 1 N-Channel SOT1210 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R5-30MLDX PSMN7R5-30MLDX MOSFET, N CH, 30V, 57A, LFPAK33;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R5-30YLDX PSMN7R5-30YLDX MOSFET;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX MOSFET, N-CH, 60V, 86A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; P
Производитель:
NEXPERIA
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 92 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
PSMN7R6-60PS,127 PSMN7R6-60PS,127 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 92 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220
PSMN7R8-120PSQ PSMN7R8-120PSQ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 70A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
167нКл
Входная емкость:
9473пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN8R0-40HLX PSMN8R0-40HLX MOSFET, N-CH, 40V, 30A, LFPAK56D;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 MOSFET, N CH, 80V, 82A, SOT669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:82A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Производитель:
NEXPERIA
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 MOSFET, N CH, 60V, 76A, SOT669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:76A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Производитель:
NEXPERIA
На странице: