Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 7446пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7607-55B,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 119A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263
BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 254Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 76нКл @ 0В Входная емкость: 4352пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7613-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 182Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 97.2нКл @ 10В Входная емкость: 4533пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7618-55,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 57A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK761R7-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 324Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 118нКл @ 10В Входная емкость: 9700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7620-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 54A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 118Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 1592пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7626-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 49A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 49A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 157Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 2891пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7628-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 28 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 166Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 3100пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK762R7-30B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 75 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263
BUK762R9-40E,118 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263
BUK7631-100E,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.4нКл Входная емкость: 1738пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7635-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 872пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 169нКл @ 10В Входная емкость: 12030пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK764R0-55B,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 6776пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7905-40AI,127 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 75 А Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220-5
BUK7E3R5-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 293Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 114нКл @ 10В Входная емкость: 8920пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
BUK7E4R6-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 82нКл @ 10В Входная емкость: 6230пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
BUK7K134-100EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Тип транзистора: N-канальный Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount
BUK7M12-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 53А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице: