- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (269)
BUK9Y53-100B,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 23A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 49 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 18нКл @ 5В
Входная емкость: 2130пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y59-60E,115
Полевой транзистор N-канальный 60В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 6.1нКл @ 5В
Входная емкость: 715пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм
Мощность макс.: 195Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 39.4нКл
Входная емкость: 6319пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y72-80E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 15A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 7.9нКл @ 5В
Входная емкость: 898пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y7R6-40E,115
Полевой транзистор N-канальный 40В 79A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 79A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 95Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 16.4нКл @ 5В
Входная емкость: 2403пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y8R7-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 86A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 31нКл @ 5В
Входная емкость: 4570пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBK,215
Транзистор полевой P-канальный 30В
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 230мА
Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 0.72нКл
Входная емкость: 46пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NX3008PBKMB,315
Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом
Мощность макс.: 360мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 0.72нКл
Входная емкость: 46пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NX3020NAK,215
Транзистор полевой N-канальный 30В 200мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 0.44нКл
Входная емкость: 48пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
NX3020NAKW,115
Транзистор полевой N-канальный 30В 180мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 180мА
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 260мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 0.44нКл
Входная емкость: 48пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NX3020NAKW,115
Транзистор полевой N-канальный 30В 180мА
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 180мА
Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом
Мощность макс.: 260мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 0.44нКл
Входная емкость: 48пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NX7002BKR
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.27A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 0.27A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
NX7002BKWX
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.24A 3-Pin SC-70
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 0.24A
Тип транзистора: N-канал
OP590/APBD,027
Производитель: NEXPERIA
OP629/APBD,027
Barre Die MOS N Channel Trench 20V
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Тип транзистора: N-канал
PH2520U,115
Полевой транзистор N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм
Мощность макс.: 62.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 5850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PHB21N06LT,118
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 19 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
PHB27NQ10T,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PHB47NQ10T,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 47A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 166Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PHD9NQ20T,118
Транзистор полевой N-канальный 200В 8.7A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 959пФ
Тип монтажа: Surface Mount
PHK04P02T,518
Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 16В
Ток стока макс.: 4.66A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ
Заряд затвора: 7.2нКл
Входная емкость: 528пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара