Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1202)

NTF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF5P03T3G Транзистор полевой P-канальный 30В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1901пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3441T1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.65A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3443T1G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3446T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3455T1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTGS4111PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.6А 2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 630мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS4141NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHL020N120SC1 МОП-транзистор 20MW 1200V Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

NTHS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 4.8А 1.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3151PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 2.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTJS3151PT2G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 60 мОм @ 3.3А, 4.5В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 400mВ @ 100 µA Заряд затвора: 8.6нКл @ 4.5В Входная емкость: 850пФ @ 12В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении