Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
Новинка NDS352P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.85А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
NDS355AN Транзистор полевой N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS355N Транзистор полевой N-канальный 30В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 245пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS356AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 4.4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS7002A Транзистор полевой N-канальный 60В 0.28А 2 Ом, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 280мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS8425 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1098пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS9407 Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 732пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT014L Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 214пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT2955 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.5А 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055L Транзистор полевой N-канальный 60В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT451AN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT452AP Транзистор полевой P-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT454P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT456P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDUL03N150CG Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(L) Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Through Hole
NID9N05ACLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 52В Ток стока макс.: 9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 90 мОм @ 9А, 12В Мощность макс.: 1.74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В Входная емкость: 250пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
NTA4001NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 238мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 238мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTA4151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 760мА Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 301мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: