- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
Новинка
NDS352P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.85А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
NDS355AN
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 85 мОм
Мощность макс.: 460мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 5нКл
Входная емкость: 195пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDS355N
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 85 мОм
Мощность макс.: 460мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 5нКл
Входная емкость: 245пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDS356AP
Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 460мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 4.4нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDS7002A
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.28А 2 Ом, 0.3Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 280мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDS8425
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 7.4A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 1098пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDS9407
Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 732пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT014
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 155пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT014L
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 5нКл
Входная емкость: 214пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT2955
Транзистор полевой P-канальный 60В 2.5А 3Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 601пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT3055L
Транзистор полевой N-канальный 60В 4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 345пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT451AN
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT452AP
Транзистор полевой P-канальный 30В 5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT454P
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5.9A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDT456P
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 67нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NDUL03N150CG
Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(L)
Напряжение исток-сток макс.: 1500В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 650пФ
Тип монтажа: Through Hole
NID9N05ACLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 52В
Ток стока макс.: 9A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 90 мОм @ 9А, 12В
Мощность макс.: 1.74Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA
Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В
Входная емкость: 250пФ @ 40В
Тип монтажа: Surface Mount
NTA4001NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 238мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 238мА
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 20пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTA4151PT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-75
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 760мА
Сопротивление открытого канала: 360 мОм
Мощность макс.: 301мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ
Заряд затвора: 2.1нКл
Входная емкость: 156пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара