- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
NTA4153NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT416
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 915мА
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 1.82нКл
Входная емкость: 110пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTA7002NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 154мА, 0.3Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-75/SOT-416
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 154мА
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Входная емкость: 20пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTB25P06T4G
Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 27.5A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTB35N15T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 37 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06LT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB45N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 45 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB5605PT4G
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 18.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTB60N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 60 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
NTD110N02RT4G
Транзистор полевой N-канальный 24В 12.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 24В
Ток стока макс.: 12.5A
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 3440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD14N03RT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 2.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 1.04Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 1.8нКл
Входная емкость: 115пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD18N06LT4G
Транзистор полевой N-канальный 60В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 675пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N03L27T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 27 мОм
Мощность макс.: 1.75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 18.9нКл
Входная емкость: 1260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06LT4G
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 48 мОм
Мощность макс.: 1.36Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20N06T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 46 мОм
Мощность макс.: 1.88Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1015пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD20P06LT4G
Транзистор полевой P-канальный 60В 15.5А 65Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 15.5A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD24N06LT4G
Транзистор полевой N-канальный 60В 24A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 1.36Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 1140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD25P03LT4G
Транзистор полевой P-канальный 30В 25А 75Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 1260пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD2955-1G
Транзистор полевой P-канальный 60В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTD2955T4G
Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTD3055-094T4G
Транзистор полевой N-канальный 60В 12А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 94 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара