- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
Акция
![]()
NTJS4151PT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTJS4151PT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTJS4405NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-363
NTK3043NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 210мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-723
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 210мА
Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом
Мощность макс.: 310мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В
Входная емкость: 11пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTK3134NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 750мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-723
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 750мА
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 310мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Входная емкость: 120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTK3139PT1G
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 780 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-723
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 660мА
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 310мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF3117PT1G
Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 6.2нКл
Входная емкость: 531пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF4156NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 6.5нКл
Входная емкость: 427пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS2103PTBG
Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 1157пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS4114NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLUS3A90PZTBG
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-UDFN (1.6x1.6)
NTMFS4823NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6.9A
Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм
Мощность макс.: 860мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 795пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4833NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 16A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 2 мОм
Мощность макс.: 910мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 88нКл
Входная емкость: 5600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4834NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 4500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Новинка
![]()
NTMFS4835NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 890мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4835NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 890мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4841NHT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
NTMFS4845NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13.7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
NTMFS4852NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 16A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 71.3нКл
Входная емкость: 4970пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4927NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 7.9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.9A
Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм
Мощность макс.: 920мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 913пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4955NT1G
Полевой транзистор N-канальный 30В 16.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
NTMFS4C302NT1G
Полевой транзистор N-канальный 30В 41A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 41A
Тип транзистора: N-канал
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара