Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 MOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.31ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Pow
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 163,84
FCD7N60TM FCD7N60TM 600V N-Channel MOSFET, SuperFET™
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 186,81
FCD850N80Z FCD850N80Z MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 124,95
FCD900N60Z FCD900N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 946 шт
Цена от:
от 39,49
FCH023N65S3L4 FCH023N65S3L4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 75А 23мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-4L
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
75А
Сопротивление открытого канала:
23мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 1 928,78
FCH041N60E FCH041N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 77A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
592Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
380нКл
Входная емкость:
13700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 шт
Цена от:
от 2 886,26
FCH041N65F-F085 FCH041N65F-F085 MOS Transistor 650V N-Channel SuperFET II MOS Transistor
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 1 071,23
FCH070N60E FCH070N60E MOSFET, N-CH, 600V, 52A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 739,62
FCH072N60F FCH072N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
481Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
215нКл
Входная емкость:
8660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 189,34
FCH104N60F FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
139нКл @ 10В
Входная емкость:
5950пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 169,75
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 506,21
FCH165N65S3R0-F155 650V 19A Through Hole TO-247-3
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
390 шт
Цена от:
от 258,88
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 1 331,89
FCMT080N65S3 FCMT080N65S3 MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 318,78
FCMT199N60 FCMT199N60 MOSFET, N-CH, 20.2A, 600V, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; P
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 319,96
FCP099N65S3 FCP099N65S3 MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
419 шт
Цена от:
от 235,55
FCP125N60E FCP125N60E MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.102ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
350 шт
Цена от:
от 305,33
FCP13N60N FCP13N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
258 мОм
Мощность макс.:
116Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39.5нКл
Входная емкость:
1765пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 шт
Цена от:
от 750,24
FCP190N65S3 FCP190N65S3 MOSFET, N-CH, 650V, 17A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.159ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
650 шт
Цена от:
от 155,67
Новинка
FCP22N60N FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
36 шт

Внешние склады:
3 шт
Цена от:
от 340,79
На странице: