- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
BSS138K
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 0.22A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:60
Производитель:
ON Semiconductor
BSS138_D87Z
Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт.
Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
2 415 177 шт.
Цена от:
от 0,42₽
Акция
BUZ11
Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 30 А, 75 Вт, 0.04 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.8A
Тип транзистора:
P-канал
CPH6445-TL-W
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-CPH
ECH8697R-TL-W
MOSFET, DUAL N-CH, 24V, 10A, SOT-28FL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:24V; On Resistance Rds(on):0.0093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
FCA16N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
134.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA20N60_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA47N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
73 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCA47N60_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCB070N65S3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44А 0.070 Ом, 312Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK-3
FCB36N60NTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FCD380N60E
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD4N60TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.9А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD5N60TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD600N60Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD7N60TM-WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара