- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDB5800
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB7030BL
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (D2Pak)
Акция
FDB8441
Транзистор полевой N-канальный 40В 80А 0.0025 Ом, 300Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
FDB8443
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO-263AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
25A(Ta),120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
185нКл @ 10В
Входная емкость:
9310пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDB8447L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDB8832
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
265нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB8896
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 93A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL0150N80
MOSFET, N-CH, 80V, 300A, MO-299A-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Производитель:
ON Semiconductor
FDBL0630N150
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PSOF
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
169A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
5805пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
300А
Тип транзистора:
N-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.1А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC3512
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC3535
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
183 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC3612
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TSOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC5612
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара