Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4141-F085 FDD4141-F085 MOSFET Trans MOS P-Ch 40V 10.8A 3-Pin 2+Tab
Производитель:
ON Semiconductor
FDD4141_F085 FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4243 FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 602 шт
Цена от:
от 13,39
FDD4685 FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685-F085P P Channel MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
FDD4685_F085 FDD4685_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4N60NZ FDD4N60NZ МОП-транзистор 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
Производитель:
ON Semiconductor
FDD5353 FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.5A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм @ 10.7А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
3215пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5614P FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5670 FDD5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
2739пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5680 FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1835пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5690 FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5810_F085 FDD5810_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N50FTM-WS FDD5N50FTM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N50NZ FDD5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 62Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
-6% Акция
FDD5N50TM FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDD6530A FDD6530A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6612A FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: