- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDD8780
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8870
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
5160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8882
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A D-PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD9407_F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
6390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD9409_F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFM2P110
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 3x3mm
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2N028Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
455пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P029Z
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P853
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA3N109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
123 мОм
Мощность макс.:
650мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFS6N548
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG311N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG312P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG315N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG316P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
412пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара