- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDMC0310AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A 8QFN
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A(Ta),21A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм @ 19А, 10В
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 1mA
Заряд затвора:
52нКл @ 10В
Входная емкость:
3165пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC2674
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 220В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
220В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
366 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7664
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18.8A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
4865пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7672S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.8A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7678
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7680
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.8A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2855пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7692
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8321L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8327L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9.7 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8360L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
27A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм @ 27А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
80нКл @ 10В
Входная емкость:
5795пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8462
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8554
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86102
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86102LZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86116LZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
103 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86260
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара