- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDMC86261P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86340ET80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 48A POWER33
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
''
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
48А
Тип транзистора:
N-канальный
FDMC8651
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.1 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
27.2нКл
Входная емкость:
3365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86520L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
4550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86570L
MOSFET, N-CH, 60V, 84A, POWER 33-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V;
Производитель:
ON Semiconductor
FDMC8854
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
3405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8878
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8884
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
685пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMD8240L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A 12-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
23А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMD8530
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMD8560L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 93A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
93а
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
66А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME410NZT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7A 6-MICROFET
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7А
Тип транзистора:
N-канальный
FDME510PZT
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6(1.6x1.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME820NZT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 9A MICROFET 1.6
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
9A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 9А, 4.5В
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.5нКл @ 4.5В
Входная емкость:
865пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME905PT
Полевой транзистор, P-канальный, 12 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
FDME910PZT
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара