- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
Акция
![]()
NTMFS5844NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канал
NTMFS5844NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Тип транзистора: N-канал
NTMFS5C430NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 38A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
NTMFS5C604NLT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 289 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 8900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5C628NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 28A
Тип транзистора: N-канал
NTMFS5C646NLT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 32 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 33.7нКл
Входная емкость: 2164пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS5H600NLT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А
Производитель: ON Semiconductor
NTMS10P02R2G
Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 3640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4177PR2G
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6.6A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 840мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4801NR2G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 2201пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMS4816NR2G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 6.8A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 780мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 18.3нКл
Входная емкость: 1060пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMS5P02R2G
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.95A
Сопротивление открытого канала: 33 мОм
Мощность макс.: 790мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTMS7N03R2G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
NTNS3A65PZT5G
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 281мА
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 155мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 1.1нКл
Входная емкость: 44пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTNS3A91PZT5G
Транзистор полевой P-канальный 20В 223мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 3-XLLGA (0.62x0.62)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 223мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 121мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 1.1нКл
Входная емкость: 41пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTNUS3171PZT5G
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-1123
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 150мА
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 125мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 13пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
NTP2955G
Транзистор полевой P-канальный 60В 2.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 196 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTP2955G
Транзистор полевой P-канальный 60В 2.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 196 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Through Hole
NTP5860NG
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
NTR0202PLT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 400мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 2.18нКл
Входная емкость: 70пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTR1P02LT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.3A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 400мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В
Заряд затвора: 5.5нКл
Входная емкость: 225пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара