Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1202)

NTR1P02LT3G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR1P02T1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR2101PT1G Транзистор полевой P-канальный 8В 3.7А 0.96Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1173пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3A30PZT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1651пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR3C21NZT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 3.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 500мА, 0.83Вт, 1 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4003NT3G Транзистор полевой N-канальный 30В 500мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 1.15нКл Входная емкость: 21пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.8А 0.21Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4170NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 4.76нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4171PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4501NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4502PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 1.13А 1.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.13A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4503NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR5103NT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 0.26A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.26A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

NTR5105PT1G Транзистор полевой P-канальный -60В -211мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1мА Тип транзистора: P-канал

Сообщить о поступлении

NTR5198NL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

Новинка

NTR5198NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR5198NLT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

Акция

NTRV4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении