- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDMS7660
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5565пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7660AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
6120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7670AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
4225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7676
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7694
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7698
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8025S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86102LZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86105
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86152
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86252
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
51 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86255
MOSFET, N-CH, 150V, 45A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Производитель:
ON Semiconductor
FDMS86500DC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
7680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86520L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
4615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86550
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8MLP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A(Ta),155A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.65 мОм @ 32А, 10В
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
154нКл @ 10В
Входная емкость:
11530пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8670S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
65А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара