- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
NTS4001NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 270мА, 0.33Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 270мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 1.3нКл
Входная емкость: 33пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTS4101PT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.37A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SC-70-3 (SOT323)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.37A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 329мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 9нКл
Входная емкость: 840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTS4173PT1G
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.2A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 290мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 10.1нКл
Входная емкость: 430пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTS4409NT1G
Транзистор полевой N-канальный 25В 700мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 280мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 1.5нКл
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4821NTAG
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 660мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 1755пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4824NTAG
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 660мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 2363пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4932NTAG
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
NTTFS5116PLTAG
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5.7A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1258пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS5826NLTAG
Транзистор полевой N-канальный 60В 8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTZS3151PT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-563-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 860мА
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 170мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 5.6нКл
Входная емкость: 458пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVATS5A114PLZT4G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 60A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) ATPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
NVBLS001N06C
Производитель: ON Semiconductor
NVD2955T4G
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 55Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055-150T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055L170T4G
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 170 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 275пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055L170T4G-VF01
Полевой транзистор N-канальный 60В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 170 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±15В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 275пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
NVD5865NLT4G
Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVD5890NT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK-3
NVD6416ANLT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 19 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK-3
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара