- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
NVMYS8D0N04CTWG
MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: LFPAK
NVR1P02T1G
Полевой транзистор P-канальный 20В 1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 400мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 2.5нКл
Входная емкость: 165пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVR4003NT3G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
NVR4501NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.25Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVR5198NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 155 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 5.1нКл
Входная емкость: 182пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVS4409NT1G
Полевой транзистор N-канальный 25В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 280мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 1.5нКл
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTA7002NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 154 мА
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 154мА
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
NVTFS4823NTWG
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
NVTFS4C08NTWG
Полевой транзистор N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 18.2нКл
Входная емкость: 1113пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTFS5116PLTAG
Транзистор полевой P-канальный 60В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1258пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTFS5116PLTWG
Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
NVTFS5116PLWFTAG
Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 6A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA
Заряд затвора: 25нКл @ 10В
Входная емкость: 1258пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
NVTFS5820NLTWG
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 11.5 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 1462пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTFS5826NLTAG
Транзистор полевой N-канальный 60В 20A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: WDFN8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.6A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 850пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTR01P02LT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.3A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
NVTR0202PLT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.4A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 2.18нКл
NVTR4502PT1G
Транзистор полевой P-канальный 30В 1.95A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.13A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 400мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVTR4503NT1G
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 420мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 135пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD12N06RLESM9A
Транзистор полевой N-канальный 60В 18A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 63 мОм
Мощность макс.: 49Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 485пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD14N05L
Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара