Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDP6030BL FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP65N06 FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP75N08A FDP75N08A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
137Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4468пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP7N60NZ FDP7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP80N06 FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
176Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
74нКл @ 10В
Входная емкость:
3190пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8447L FDP8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8874 FDP8874 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 114A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8880 FDP8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8896 FDP8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 92A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF045N10A FDPF045N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
67A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF12N50FT FDPF12N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF12N50UT FDPF12N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF13N50FT FDPF13N50FT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF16N50 FDPF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF18N50T FDPF18N50T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
38.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF390N15A FDPF390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF3N50NZ FDPF3N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF51N25 FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
28А
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
559 шт
Цена от:
от 235,41
FDPF5N50NZ FDPF5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: