- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDS8638
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8672S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS8690
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8813NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18.5A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
4145пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8817NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8840NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18.6A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
144нКл
Входная емкость:
7535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS8870
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS8878
Транзистор полевой N-канальный 30В 10.2А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
FDS8896
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
2525пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDT3N40TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2А 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT434P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1187пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT457N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.06 W @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.090 W @ VGS = 4.5 V
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
FDT459N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86106LZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
108 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDU3N40TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDWS86369-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
65А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY100PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 350мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY101PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 150мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара