- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDY102PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 830мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
3.1нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY2000PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.35A 6-Pin SOT-563F лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563F
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.35A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY300NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 600мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDY301NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDY302NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FGB20N60SFD_F085
Транзистор биполярный IGBT N-канальный 600В 40А 208Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
40А
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
50А
Мощность макс.:
428Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQA10N80C_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA11N90-F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P туба
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11.4А
Тип транзистора:
N-канальный
FQA13N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
218Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA160N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 160A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA170N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 170A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
170A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
9350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA19N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA27N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA28N15
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA32N20C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
204Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA36P15
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 36А 294Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA44N30
Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 43.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FQA46N15
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара