- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQA55N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
6250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA62N25C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 62A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
298Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
6280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA65N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA6N90C_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA7N80C_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA8N100C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA90N15
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 90 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FQA9P25
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF11N90C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF16N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB11P06TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB1P50TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB30N06LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB33N10LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB33N10TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB34N20LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FQB46N15
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45А 210Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
FQB47P06TM_AM002
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
FQB50N06LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52.4A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB50N06TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара