- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQN1N60CTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQNL2N50BTA
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 0.35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92MOD
FQP11P06
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP12N60C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP12P10
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N10L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FQP13N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
2300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQP14N30
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14.4A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP19N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP20N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
590пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQP20N06L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP27N25
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP2N90
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP34N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP3N30
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP3N60C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
565пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP3N80C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
705пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP3P20
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP3P50
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.7A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.7А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара