Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQP45N15V2 FQP45N15V2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP46N15 FQP46N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 45.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
45.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
210Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP47P06 FQP47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP4N80 FQP4N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP4P40 FQP4P40 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.1 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP5N60C FQP5N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP65N06 FQP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP6N40C FQP6N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
FQP6N60C FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP70N10 FQP70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP7N80C FQP7N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP7P06 FQP7P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
410 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
295пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP85N06 FQP85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8N80C FQP8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
178Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8N90C FQP8N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
171Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8P10 FQP8P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9N30 FQP9N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
98Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9N90C FQP9N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9P25 FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF10N20C FQPF10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: