Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQPF33N10L FQPF33N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF47P06 FQPF47P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N40 FQPF5N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N50 FQPF5N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N90 FQPF5N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF630 FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF65N06 FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF6N60C FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF70N10 FQPF70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7P20 FQPF7P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF85N06 FQPF85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF8N60C FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1255пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
10 шт
Цена от:
от 240,85
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
59Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF8N90C FQPF8N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N25CT FQPF9N25CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50C FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N90CT FQPF9N90CT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25 FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT13N06LTF FQT13N06LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT13N06TF FQT13N06TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: