- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQT1N60CTF_WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT1N80TF_WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 0.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT2P25TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT3P20TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
670мА
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT4N25TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT5P10TF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT7N10TF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU10N20CTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU11P06TU
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N06LTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N10LTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
FQU17P06TU
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU1N60CTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU1N80TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
7.2нКл @ 10В
Входная емкость:
195пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N100TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N60CTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU3N50CTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU5N40TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75321D3ST
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75321P3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара